В ЛЭТИ состоится торжественное открытие бюста нобелевского лауреата Ж. И. Алферова
В год 140-летия своего основания Первый электротехнический увековечит память знаменитого выпускника факультета электронной техники ЛЭТИ 1952 года, Почетного доктора СПбГЭТУ «ЛЭТИ», всемирно известного ученого, лауреата Нобелевской премии по физике Жореса Ивановича Алферова.
22 октября 2026 года в Санкт-Петербургском государственном электротехническом университете «ЛЭТИ» состоится торжественное открытие бюста Жореса Ивановича Алферова (1930-2019). В 1952 году будущий всемирно известный ученый окончил ЛЭТИ с отличием по специальности «Электровакуумная техника». Академик Ж.И. Алферов – автор более 500 научных трудов и свыше 50 изобретений. Его работы отмечены отраслевыми и государственными премиями СССР, России, ФРГ, США, Японии и других стран. В 2000 году ему присуждена Нобелевская премия по физике за развитие полупроводниковых гетероструктур для высокоскоростной и оптоэлектроники.
В торжественной церемонии открытия памятного бюста примут участие ректор СПбГЭТУ «ЛЭТИ» Виктор Николаевич Шелудько; вице-президент РАН, академик, ректор Санкт-Петербургского политехнического университета Андрей Иванович Рудской; заместитель президента РАН, член-корреспондент РАН Владимир Викторович Иванов; врио директора Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, академик РАН Сергей Аполлонович Никитов; академик РАН Григорий Владимирович Трубников; Председатель Комитета по науке и высшей школе Правительства Санкт-Петербурга Андрей Станиславович Максимов, ректоры петербургских вузов, преподаватели, сотрудники и студенты ЛЭТИ.
В числе почетных гостей – автор бюста, петербургский скульптор Владислав Александрович Маначинский. В числе его основных работ в Санкт-Петербурге – три скульптуры в натуральную величину: «Фемида», «Адвокатура», «Юстиция» в интерьере здания Санкт-Петербургской объединенной коллегии адвокатов.
Открытие бюста состоится во внутреннем дворе СПбГЭТУ «ЛЭТИ» 22 октября 2026 года в 16.00.
Аккредитация СМИ завершается 20 октября в 15:00.
Контакты для связи: Егорова Ксения Алексеевна, начальник Управления корпоративных и внешних коммуникаций, kaegorova@etu.ru; +7 (911) 137-32-80
Для справки
Академик, вице-президент Российской Академии Наук (РАН), лауреат Нобелевской премии по физике 2000 года, ректор Академического университета РАН, Почетный доктор СПбГЭТУ «ЛЭТИ» Жорес Иванович Алферов родился в 1930 году в городе Витебске Белорусской ССР. В годы Великой Отечественной войны он вместе с семьей переехал в Туринск (Свердловская область), где отец работал директором целлюлозно-бумажного завода. После войны Алферовы вернулись в разрушенный войной Минск, где Жорес окончил с золотой медалью среднюю школу № 42.
В 1948 году Жорес Алферов переехал в Ленинград и поступил на факультет электронной техники ЛЭТИ. В 1952 году окончил вуз с отличием по специальности «Электровакуумная техника». В 1949 г. участвовал в строительстве Красноборской ГЭС – одной из первых сельских электростанций Ленинградской области.
После окончания ЛЭТИ Жорес Алферов был распределен на работу в Ленинградский физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе, где при его участии были разработаны первые отечественные транзисторы.
В начале 1960-х годов Алферов начал заниматься проблемой гетеропереходов. Открытие Алферовым идеальных гетеропереходов и новых физических явлений – «сверхинжекции», электронного и оптического ограничения в гетероструктурах – позволило кардинально улучшить параметры большинства известных полупроводниковых приборов и создать принципиально новые, особенно перспективные для применения в оптической и квантовой электронике.
Благодаря фундаментальным работам Ж. И. Алферова были созданы светодиоды на гетероструктурах, которые позволяют существенно сэкономить электроэнергию. Ученый также занимался разработкой лазеров на основе квантовых точек, способных снизить электропотребление лазеров.
Своими открытиями Алферов заложил основы современной информационной техники. Созданные на базе исследований Алферова приборы и устройства – это лазеры, передающие информационные потоки посредством оптоволоконных сетей Интернета, технологии, лежащие в основе мобильных телефонов, устройства, декодирующие товарные ярлыки, запись и воспроизведение информации и многое другое.
Под научным руководством Алферова были выполнены исследования солнечных элементов на основе гетероструктур, что привело к созданию фотоэлектрических преобразователей солнечного излучения в электрическую энергию, коэффициент полезного действия которых приблизился к теоретическому пределу. Они оказались незаменимыми для энергообеспечения космических станций, а в настоящее время рассматриваются как один из основных альтернативных источников энергии.
В 2000 году Жоресу Ивановичу Алферову была присуждена Нобелевская премия по физике за развитие полупроводниковых гетероструктур для высокоскоростной и оптоэлектроники.
Академик Ж.И. Алферов – автор более 500 научных трудов и свыше 50 изобретений. Его работы отмечены отраслевыми и государственными премиями и наградами СССР, России, ФРГ, США, Японии и других стран.
Информация предоставлена:
Управление корпоративных и внешних коммуникаций СПбГЭТУ «ЛЭТИ»