Новости

Созданный прототип SiC-транзистора компактен, надежен и способен работать при высоких токах, высоких напряжениях и повышенных температурах. В последние десятилетия электроника

В заключительный день защиты итогов работы, проведенной университетами в ходе заседания Совета по рассмотрению вопросов и координации деятельности проекта «Передовые

Представители госкорпорации «Росатом» и СПбГЭТУ «ЛЭТИ» обсудили научные и международные проекты, а также сотрудничество в рамках Передовой инженерной школы «Электроника

10 марта в ГУАП совместно c землячеством Черногории Российского университета дружбы народов имени Патриса Лумумбы провели III Международный общественно-научный форум

СПбГЭУ с официальным визитом посетила делегация Банка Лаосской Народно-Демократической Республики во главе с заместителем Председателя госпожой Кханкео Ламанингао, выпускницей ЛФЭИ,

В ГУАП состоялся VII Международный форум «Метрологическое обеспечение инновационных технологий», участие в котором приняли ведущие ученые и специалисты области из

В СПбГЭУ впервые прошла Всероссийская научно-практическая конференция с международным участием «Цифровые технологии: модели управления и экономическая эффективность». Мероприятие стало ключевой

В рамках работы создано математическое описание, ускоряющее процесс разработки отечественных ультразвуковых ножей для раскроя сотовых панелей. Сотовые панели – это

46 команд в составе студентов 1 и 2 курсов СПбГЭТУ «ЛЭТИ» получили конкурсные задания в направлениях «Схемотехника» и «Программирование». Защита

В рамках ярмарки состоялись стендовая сессия дочерних обществ и организаций ПАО «Газпром», встреча с целевыми студентами, награждение студентов – лауреатов